■概要■
・二次元から三次元へ....微細化の限界を突破！半導体の性能を大きく向上させる3次元実装技術！
・最新の後工程プロセスや関連技術について徹底的に詳説！
・図解等を交えながら、複雑な組立やテストプロセスの詳細を分かりやすく解説！
＜序論 三次元積層技術の課題と展望＞
・研究開発の経緯
・課題と展望1：Chip-on-Wafer
・課題と展望2：放熱
・課題と展望3：民主化
＜1＞設計技術
1．三次元実装に向けた設計技術（AIチップ）
・はじめに
・AIチップの分類および低消費電力設計
・三次元積層AIチップの提案
・おわりに
2．チップレット時代のアドバンスド半導体パッケージング設計
・はじめに
・システムトータル設計の進展
・システムトータル設計の実現
・規格への理解
・各工程の装置／材料との協調
・おわりに
＜2＞TSV（シリコン貫通電極）
1．Si深掘り装置技術
・はじめに
・シリコン深掘りプロセス
・シリコン深掘り装置の構成
・シリコン深掘りプロセス
・TSV／Si貫通電極チップ形成の実際
・まとめ
2．TSV向け低温プラズマCVD技術
・はじめに
・Cモードと2周波Aモード
・TSV向けSiO2の低温成膜
・おわりに
3．銅電解めっき技術
・銅電解めっき技術の基礎
・3D半導体実装技術への応用例
・結言
4．銅配線（Cu）CMP技術
・CMPの基礎
・CMPの研磨技術
・CMPのエンドポイントおよびプロセスモニタ・コントロール技術
・CMPの洗浄・乾燥技術
・近年のCMP課題・応用事例
5．ウエハ仮固定・剥離技術
・背景
・薄化のための仮固定技術
・結語
6．超薄化技術
・背景
・標準的な薄化技術
・超薄化技術
・まとめ
＜3＞接合技術
1．バンプ接合
（1）SAP（配線形成技術）
・はじめに
・チップレット集積
・プリント配線板
・硫酸銅めっき
・エッチング
・インターポーザー
・RDL
・おわりに
（2）狭ピッチフリップチップバンプ接合
・はじめに
・フリップチップ実装の概要
・フリップチップ実装の種類
・フリップチップ実装の狭ピッチ化
・狭ピッチフリップチップ実装の応用例HBM（High Bandwidth Memory）
・おわりに
2．ハイブリッド接合
（1）プラズマ活性化
・はじめに
・プラズマ活性化による絶縁層接合
・プラズマ活性化によるメタルパッド接合
・まとめ
（2）チップ接合
・はじめに
・D2Wハイブリッド接合のメリットとデメリット
・D2Wハイブリッド接合装置
・コレクティブD2Wハイブリッド接合
・D2Wハイブリッド接合装置と前後工程の組み合わせ
（3）ウェハ接合（反り、残存応力、歪など）
・はじめに
・W2Wハイブリッド接合プロセス概要とBonding wave現象
・接合精度
・接合歪
・接合歪による残存応力およびウェハ反りとの関係
・まとめ
（4）クリーンダイシング
・背景
・ダイシング技術の紹介
・ハイブリッド接合の実現に向けて
・まとめ
＜4＞インターポーザー
1．Chiplet Integrationの基礎と動向
・概要
・Chiplet集積とは
・Chiplet集積の目指すゴール
・Chiplet集積の要素（Core）技術
・Interposer（繋ぐ技術）の重要性
・Interposer（繋ぐ技術）の現状と課題
2．2.5D／3D実装におけるインターポーザーの進化とサプライチェーンの現在地、そして未来
・何故、2.5D／3Dパッケージングが求められるのか？
・シリコンインターポーザー技術の進展
・シリコンインターポーザーのサプライチェーン
・シリコンインターポーザーに競合するアーキテクチャ
・まとめ
3．RDL（Redistribution Layer）インターポーザー
・はじめに
・RDLインターポーザーを用いた2.5D構造パッケージと要素技術
・製造プロセス
・まとめ
4．ガラス貫通基板（TGV）への導電層形成技術
・はじめに
・なぜ今ガラス基板が必要か？
・めっきプライマーによるガラス貫通基板への導電化処理
・めっきプライマーのガラス貫通基板への適用
・めっきプライマーの樹脂貫通基板への適用
・ガラス基板の応用展開
・おわりに
＜5＞アプリケーション
1．FOWLP／FOPLP、Siブリッジ
・FOWLP／FOPLP、Siブリッジの概要
・FOWLP／FOPLP、Siブリッジのアプリケーション
2．イメージセンサ
・はじめに
・裏面照射型CMOSイメージセンサの誕生
・CMOSイメージセンサの積層化
・積層型CMOSイメージセンサの進化
・おわりに
3．3Dフラッシュメモリ向けCMOS directly Bonded to Array（CBA）技術
・はじめに
・3DフラッシュメモリとCBA技術
・CBA技術の課題とプロセス検討
・デバイス特性と今後の展望
・まとめ
4．人工知能（AI）チップ
・はじめに
・人工知能（AI）チップ基本構成
・エッジコンピューティングでのAIチップ
・AIチップの高度化へ向けて
・イジングマシン
・まとめ
＜6＞関連材料
1．封止材
（1）アンダーフィル
・はじめに
・アンダーフィルの封止法
・アンダーフィルの要求特性
・アンダーフィルの設計
・アンダーフィルの今後
（2）FO-WLP／PLP向けエポキシ樹脂成形材料について
・概要
・成形方式とエポキシ樹脂成形材料
・FO-WLP／PLP向けエポキシ樹脂成形材料の技術課題
・おわりに
（3）アドバンスドパッケージに対応した最新樹脂封止技術
・はじめに
・モールディング技術について
・モールディング工法の詳細分類
・アドバンスドパッケージングへのアプローチ
・まとめ
2．CT型X線自動検査装置
・半導体三次元実装の課題
・半導体検査に適したCT型X線自動検査
・むすび
3．ウェーハプローバ
・ウェーハプローバの基本構成について
・プローバの課題
・製造プロセスにおけるウェーハテストの現状
4．放熱技術
・背景・課題
・放熱技術の詳細
＜7＞信頼性
1．三次元集積回路内で発生する機械的応力
・はじめに
・TSV形成プロセスに起因した機械的応力
・ハイブリッドボンディングプロセスに起因した機械的応力
・回路の動作発熱に起因した動的な機械的応力
・まとめ
2．バウンダリスキャンによるTSV接続のテストと評価技術
・デジタルバウンダリスキャンによるダイ間接続テスト
・アナログバウンダリスキャンによるTSV接続評価
3．エレクトロマイグレーション
・はじめに
・電流密度と温度がEMに与える影響
・拡散係数とバックフローがEMに与える影響
・EMの寿命予測
・EM起因の故障が発生する領域
・EMによる接合部の破断
・おわりに
■監修者■
福島 誉史
東北大学 大学院医工学研究科／工学研究科 教授
